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TER
0,35% p.a.
Ertragsverwendung
Thesaurierend
Replikation
Physisch
Fondsgrösse
CHF 95 Mio.
Auflagedatum
25. Januar 2022
Positionen
80
Übersicht
Beschreibung
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF bildet den Nasdaq Global Semiconductor Index nach. Der Nasdaq Global Semiconductor Index bietet Zugang zu Unternehmen aus aller Welt, die in der Halbleiterindustrie tätig sind.
Chart
Basisinfos
Stammdaten
| Index | Nasdaq Global Semiconductor |
| Anlageschwerpunkt | Aktien, Welt, Technologie |
| Fondsgrösse | CHF 95 Mio. |
| Gesamtkostenquote (TER) | 0,35% p.a. |
| Replikationsmethode | Physisch (Vollständige Replikation) |
| Rechtliche Struktur | ETF |
| Strategie-Risiko | Long-only |
| Nachhaltigkeit | Nein |
| Fondswährung | USD |
| Währungsrisiko | Währung nicht gesichert |
| Volatilität 1 Jahr (in CHF) | 27,14% |
| Auflagedatum/ Handelsbeginn | 25. Januar 2022 |
| Ausschüttung | Thesaurierend |
| Ausschüttungsintervall | - |
| Fondsdomizil | Irland |
| Anbieter | HSBC ETF |
| Fondsstruktur | Company With Variable Capital (SICAV) |
| UCITS-konform | Ja |
| Administrator | HSBC Securities Services (Ireland) DAC |
| Investment Advisor | HSBC Global Asset Management (UK) Limited |
| Depotbank | HSBC Continental Europe |
| Wirtschaftsprüfer | KPMG |
| Geschäftsjahresende | 30. Dezember |
| Schweizer Repräsentant | HSBC Global Asset Management (Switzerland) AG |
| Schweizer Zahlstelle | HSBC Private Bank (Suisse) SA |
| Deutschland | Nicht bekannt |
| Schweiz | ESTV Reporting |
| Österreich | Meldefonds |
| Grossbritannien | UK Reporting |
| Indextyp | - |
| Swap Counterparty | - |
| Collateral Manager | |
| Wertpapierleihe | Nein |
| Wertpapierleihe Counterparty |
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Zusammensetzung
Hier findest du Informationen zur Zusammensetzung des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF.
Grösste 10 Positionen
Gewicht der grössten 10 Positionen
von insgesamt 80
59,54%
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 8,81% |
| ASML Holding NV | 8,79% |
| SK hynix, Inc. | 6,47% |
| NVIDIA Corp. | 6,33% |
| Micron Technology | 5,52% |
| AMD | 5,47% |
| Broadcom Inc. | 5,02% |
| Lam Research | 4,74% |
| Applied Materials, Inc. | 4,67% |
| KLA Corp. | 3,72% |
Sektoren
| Technologie | 93,78% |
| Sonstige | 6,22% |
Stand: 27.02.2026
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| Broker | Testurteil | Gebühr pro Sparrate | Depotgebühr | |
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** Wichtiger Hinweis: Wir gehören seit 2021 zur Scalable Gruppe und sind eine 100%-ige Tochtergesellschaft der Scalable GmbH. Dadurch sind wir wirtschaftlich verbunden, agieren jedoch redaktionell unabhängig. Interessenkonflikte werden vermieden, da Broker - einschliesslich Scalable - nach einheitlichen, objektiven Kriterien bewertet werden. Diese kannst du in unserem transparenten Bewertungsschema abrufen. Denn am Ende sollst du allein entscheiden, wie und bei wem du investieren möchtest.
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Rendite
Renditen im Überblick
| Lfd. Jahr | +31,19% |
| 1 Monat | +16,63% |
| 3 Monate | +17,42% |
| 6 Monate | +44,72% |
| 1 Jahr | +136,55% |
| 3 Jahre | +194,90% |
| 5 Jahre | - |
| Seit Auflage (MAX) | +160,97% |
| 2025 | +37,55% |
| 2024 | +26,77% |
| 2023 | +53,10% |
| 2022 | - |
Monatsrenditen in einer Heatmap
Risiko
Risikokennzahlen in diesem Abschnitt:
- Volatilität, gemessen für einen Zeitraum von 1, 3 und 5 Jahren. Die annualisierte Volatilität spiegelt das Ausmass der Kursschwankungen im Zeitraum eines Jahres wider. Je höher die Volatilität, desto stärker hat sich der Kurs des Wertpapiers (der Aktie, des ETF, usw.) in der Vergangenheit verändert. Wertpapiere mit höherer Volatilität gelten im Allgemeinen als risikoreicher. Wir berechnen die Volatilität auf Basis der Daten der letzten 1, 3 und 5 Jahre, damit du sehen kannst, ob die Kursschwankungen im Laufe der Zeit stärker oder schwächer wurden. Weitere Informationen findest du in unserem Artikel: Volatilität als Risikomass.
- Rendite pro Risiko für Zeiträume von 1, 3 und 5 Jahren. Diese Kennzahl ist definiert als die annualisierte (d. h. auf einen Einjahreszeitraum umgerechnete) historische Rendite geteilt durch die historische annualisierte Volatilität. Rendite pro Risiko setzt die historische Rendite eines Wertpapiers ins Verhältnis zu seinem historischen Risiko und gibt dir einen Hinweis auf das Ausmass der Kursschwankungen, die man in Kauf nehmen musste, um von der Rendite des Wertpapiers zu profitieren. Wir berechnen diese Kennzahl für Zeiträume von 1, 3 und 5 Jahren, um die Entwicklung im Laufe der Zeit darzustellen.
- Maximaler Drawdown für verschiedene Zeiträume. Der Maximum Drawdown gibt den grösstmöglichen Verlust an, den du während des jeweiligen Zeitraums hättest erleiden können, wenn du das Wertpapier zu den ungünstigsten Preisen gekauft und anschliessend verkauft hättest. Beispiel: Angenommen, die Abfolge der täglichen Wertpapierpreise war: 10€, 5€, 12€, 20€. In diesem Fall hättest du den grösstmöglichen Verlust erlitten, wenn du das Wertpapier für 10€ gekauft und anschliessend für 5€ verkauft hättest. Daher wäre in diesem Fall der Maximum Drawdown (5€ - 10€)/10€ = -50%.
Risiko im Überblick
| Volatilität 1 Jahr | 27,14% |
| Volatilität 3 Jahre | 29,51% |
| Volatilität 5 Jahre | - |
| Rendite zu Risiko 1 Jahr | 5,03 |
| Rendite zu Risiko 3 Jahre | 1,47 |
| Rendite zu Risiko 5 Jahre | - |
| Maximum Drawdown 1 Jahr | -12,91% |
| Maximum Drawdown 3 Jahre | -40,12% |
| Maximum Drawdown 5 Jahre | - |
| Maximum Drawdown seit Auflage | -40,12% |
Rollierende 1 Jahres-Volatilität
Börse
Börsennotierungen
| Börsennotierung | Handelswährung | Ticker | Bloomberg / iNAV Bloomberg Code | Reuters RIC / iNAV Reuters | Market Maker |
|---|---|---|---|---|---|
| Borsa Italiana | EUR | HNSC | - - | - - | - |
| gettex | EUR | HNSC | - - | - - | - |
| London Stock Exchange | USD | HNSC | |||
| London Stock Exchange | GBP | HNSS |
Weitere Informationen
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| Fondsname | Fondsgrösse in Mio. € (AuM) | TER p.a. | Ausschüttung | Replikation |
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| Amundi MSCI Semiconductors UCITS ETF Acc | 1.292 | 0,35% p.a. | Thesaurierend | Vollständig |
| Amundi MSCI Semiconductors UCITS ETF Dist | 83 | 0,35% p.a. | Ausschüttend | Vollständig |
| First Trust Bloomberg Global Semiconductor Supply Chain UCITS ETF Class A Accumulation | 22 | 0,60% p.a. | Thesaurierend | Vollständig |
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Häufig gestellte Fragen
Wie lautet die Valorennummer des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF hat die Valorennummer 116279884.
Wie lautet die ISIN des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF hat die ISIN IE000YDZG487.
Wieviel kostet der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Die Gesamtkostenquote (TER) des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF beträgt 0,35% p.a.. Diese Kosten werden fortlaufend anteilig aus dem Fondsvermögen entnommen und sind bereits in der Wertentwicklung des ETF berücksichtigt. Die TER muss dementsprechend nicht gesondert bezahlt werden. In unserem Artikel erfährst du mehr über die Kosten von ETFs.
Werden beim HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF Dividenden ausgeschüttet?
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF ist ein thesaurierender ETF. Das bedeutet, anfallende Dividendenzahlungen werden nicht ausgeschüttet sondern in den ETF reinvestiert, wodurch sich der Anteilspreis des ETF erhöht.
Welche Fondsgrösse hat der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Die Fondsgrösse des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF beträgt 95m CHF. In unserem Artikel erfährst du mehr darüber, was es beim Fondsvolumen eines ETF zu beachten gibt.
— Die verwendeten Daten werden bereitgestellt von Trackinsight, etfinfo, Xignite Inc., gettex, FactSet und justETF GmbH. Kurse sind entweder Realtime- (gettex) oder 15 Minuten zeitverzögerte Börsennotierungen oder NAVs (täglich vom Fondsanbieter veröffentlicht). Die Wertentwicklungsangaben für ETFs beinhalten standardmässig Ausschüttungen (falls vorhanden). Es wird keine Gewähr für die Vollständigkeit, Genauigkeit und Richtigkeit der dargestellten Informationen übernommen.
