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VanEck China Semiconductor UCITS ETF

ISIN IE000TS4B6Y3

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Ticker CSMH

TER
0,65% p.a.
Ertragsverwendung
Thesaurierend
Replikation
Physisch
Fondsgröße
EUR 3 Mio.
Auflagedatum
23. Oktober 2026
 

Übersicht

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Beschreibung

Der VanEck China Semiconductor UCITS ETF bildet den MarketVector China Semiconductor 10% Capped Screened Index nach. Der MarketVector China Semiconductor 10% Capped Screened Index bietet Zugang zu chinesischen Aktien aus der Halbleiterindustrie. Die enthaltenen Titel werden nach ESG-Kriterien (Umwelt, Soziales und Unternehmensführung) gefiltert. Das Gewicht jedes Unternehmens ist auf maximal 10 Prozent begrenzt.
 
Die TER (Gesamtkostenquote) des ETF liegt bei 0,65% p.a.. Der VanEck China Semiconductor UCITS ETF ist der einzige ETF, der den MarketVector China Semiconductor 10% Capped Screened Index nachbildet. Der ETF bildet die Wertentwicklung des Index durch vollständige Replikation (Erwerb aller Indexbestandteile) nach. Die Dividendenerträge im ETF werden thesauriert (in den ETF reinvestiert).
 
Der VanEck China Semiconductor UCITS ETF ist ein sehr kleiner ETF mit 3 Mio. Euro Fondsvolumen. Der ETF wurde am 23. Oktober 2026 in Irland aufgelegt.
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Chart

Basisinfos

Stammdaten

Anlagekonzept Long-only
Index
MarketVector China Semiconductor 10% Capped Screened
Anlageschwerpunkt
Aktien, China, Technologie, Sozial/Nachhaltig
Fondsgröße
EUR 3 Mio.
Gesamtkostenquote (TER)
0,65% p.a.
Replikationsmethode Physisch (Vollständige Replikation)
Rechtliche Struktur ETF
Nachhaltigkeit Ja
Fondswährung USD
Währungsgesichert Nein
Auflagedatum/ Handelsbeginn 23. Oktober 2026
Ausschüttung Thesaurierend
Fondsdomizil Irland
Anbieter VanEck

Steuerstatus

Österreich Nicht bekannt
Deutschland Nicht bekannt
Schweiz Nicht bekannt
Großbritannien Nicht bekannt
Italien -
Indextyp -
Swap Counterparty -
Collateral Manager
Wertpapierleihe Nein
Wertpapierleihe Counterparty

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Rendite

Renditen im Überblick

Lfd. Jahr -
1 Monat -
3 Monate -
6 Monate -
1 Jahr -
3 Jahre -
5 Jahre -
Seit Auflage (MAX) -7,96%
2025 -
2024 -
2023 -
2022 -

Monatsrenditen in einer Heatmap

Risiko

Risikokennzahlen in diesem Abschnitt:
 
  • Volatilität, gemessen für einen Zeitraum von 1, 3 und 5 Jahren. Die annualisierte Volatilität spiegelt das Ausmaß der Kursschwankungen im Zeitraum eines Jahres wider. Je höher die Volatilität, desto stärker hat sich der Kurs des Wertpapiers (der Aktie, des ETF, usw.) in der Vergangenheit verändert. Wertpapiere mit höherer Volatilität gelten im Allgemeinen als risikoreicher. Wir berechnen die Volatilität auf Basis der Daten der letzten 1, 3 und 5 Jahre, damit du sehen kannst, ob die Kursschwankungen im Laufe der Zeit stärker oder schwächer wurden. Weitere Informationen findest du in unserem Artikel: Volatilität als Risikomaß.
  • Rendite pro Risiko für Zeiträume von 1, 3 und 5 Jahren. Diese Kennzahl ist definiert als die annualisierte (d. h. auf einen Einjahreszeitraum umgerechnete) historische Rendite geteilt durch die historische annualisierte Volatilität. Rendite pro Risiko setzt die historische Rendite eines Wertpapiers ins Verhältnis zu seinem historischen Risiko und gibt dir einen Hinweis auf das Ausmaß der Kursschwankungen, die man in Kauf nehmen musste, um von der Rendite des Wertpapiers zu profitieren. Wir berechnen diese Kennzahl für Zeiträume von 1, 3 und 5 Jahren, um die Entwicklung im Laufe der Zeit darzustellen.
  • Maximaler Drawdown für verschiedene Zeiträume. Der Maximum Drawdown gibt den größtmöglichen Verlust an, den du während des jeweiligen Zeitraums hättest erleiden können, wenn du das Wertpapier zu den ungünstigsten Preisen gekauft und anschließend verkauft hättest. Beispiel: Angenommen, die Abfolge der täglichen Wertpapierpreise war: 10€, 5€, 12€, 20€. In diesem Fall hättest du den größtmöglichen Verlust erlitten, wenn du das Wertpapier für 10€ gekauft und anschließend für 5€ verkauft hättest. Daher wäre in diesem Fall der Maximum Drawdown (5€ - 10€)/10€ = -50%.
Die Wertentwicklungsangaben für ETFs beinhalten Ausschüttungen (falls vorhanden).
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Risiko im Überblick

Volatilität 1 Jahr -
Volatilität 3 Jahre -
Volatilität 5 Jahre -
Rendite zu Risiko 1 Jahr -
Rendite zu Risiko 3 Jahre -
Rendite zu Risiko 5 Jahre -
Maximum Drawdown 1 Jahr -
Maximum Drawdown 3 Jahre -
Maximum Drawdown 5 Jahre -
Maximum Drawdown seit Auflage -7,96%

Rollierende 1 Jahres-Volatilität

Börse

Börsennotierungen

Börsennotierung Handelswährung Ticker Bloomberg /
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iNAV Reuters
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London Stock Exchange USD SMHC

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Häufig gestellte Fragen

Wie lautet die WKN des VanEck China Semiconductor UCITS ETF?

Der VanEck China Semiconductor UCITS ETF hat die WKN .

Wie lautet die ISIN des VanEck China Semiconductor UCITS ETF?

Der VanEck China Semiconductor UCITS ETF hat die ISIN IE000TS4B6Y3.

Wieviel kostet der VanEck China Semiconductor UCITS ETF?

Die Gesamtkostenquote (TER) des VanEck China Semiconductor UCITS ETF beträgt 0,65% p.a.. Diese Kosten werden fortlaufend anteilig aus dem Fondsvermögen entnommen und sind bereits in der Wertentwicklung des ETF berücksichtigt. Die TER muss dementsprechend nicht gesondert bezahlt werden. In unserem Artikel erfährst du mehr über die Kosten von ETFs.

Werden beim VanEck China Semiconductor UCITS ETF Dividenden ausgeschüttet?

Der VanEck China Semiconductor UCITS ETF ist ein thesaurierender ETF. Das bedeutet, anfallende Dividendenzahlungen werden nicht ausgeschüttet sondern in den ETF reinvestiert, wodurch sich der Anteilspreis des ETF erhöht.

Welche Fondsgröße hat der VanEck China Semiconductor UCITS ETF?

Die Fondsgröße des VanEck China Semiconductor UCITS ETF beträgt 3m Euro. In unserem Artikel erfährst du mehr darüber, was es beim Fondsvolumen eines ETF zu beachten gibt.

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— Die verwendeten Daten werden bereitgestellt von Trackinsight, etfinfo, Xignite Inc., gettex, FactSet und justETF GmbH.

Kurse sind entweder Realtime- (gettex) oder 15 Minuten zeitverzögerte Börsennotierungen oder NAVs (täglich vom Fondsanbieter veröffentlicht). Die Wertentwicklungsangaben für ETFs beinhalten standardmäßig Ausschüttungen (falls vorhanden). Nähere Informationen erhältst du hier. Es wird keine Gewähr für die Vollständigkeit, Genauigkeit und Richtigkeit der dargestellten Informationen übernommen.