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TER
0,35% p.a.
Ertragsverwendung
Thesaurierend
Replikation
Physisch
Fondsgröße
EUR 66 Mio.
Auflagedatum
25. Jänner 2022
Positionen
80
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Beschreibung
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF bildet den Nasdaq Global Semiconductor Index nach. Der Nasdaq Global Semiconductor Index bietet Zugang zu Unternehmen aus aller Welt, die in der Halbleiterindustrie tätig sind.
Dokumente
Chart
Basisinfos
Stammdaten
| Index | Nasdaq Global Semiconductor |
| Anlageschwerpunkt | Aktien, Welt, Technologie |
| Fondsgröße | EUR 66 Mio. |
| Gesamtkostenquote (TER) | 0,35% p.a. |
| Replikationsmethode | Physisch (Vollständige Replikation) |
| Rechtliche Struktur | ETF |
| Strategie-Risiko | Long-only |
| Nachhaltigkeit | Nein |
| Fondswährung | USD |
| Währungsrisiko | Währung nicht gesichert |
| Volatilität 1 Jahr (in EUR) | 32,99% |
| Auflagedatum/ Handelsbeginn | 25. Jänner 2022 |
| Ausschüttung | Thesaurierend |
| Ausschüttungsintervall | - |
| Fondsdomizil | Irland |
| Anbieter | HSBC ETF |
| Fondsstruktur | Company With Variable Capital (SICAV) |
| UCITS-konform | Ja |
| Administrator | HSBC Securities Services (Ireland) DAC |
| Investment Advisor | HSBC Global Asset Management (UK) Limited |
| Depotbank | HSBC Continental Europe |
| Wirtschaftsprüfer | KPMG |
| Geschäftsjahresende | 30. Dezember |
| Schweizer Repräsentant | HSBC Global Asset Management (Switzerland) AG |
| Schweizer Zahlstelle | HSBC Private Bank (Suisse) SA |
| Deutschland | Nicht bekannt |
| Schweiz | ESTV Reporting |
| Österreich | Meldefonds |
| Großbritannien | UK Reporting |
| Indextyp | - |
| Swap Counterparty | - |
| Collateral Manager | |
| Wertpapierleihe | Nein |
| Wertpapierleihe Counterparty |
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Zusammensetzung
Hier findest du Informationen zur Zusammensetzung des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF.
Größte 10 Positionen
Gewicht der größten 10 Positionen
von insgesamt 80
62,91%
| AMD | 8,60% |
| ASML Holding NV | 8,52% |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 7,70% |
| Broadcom | 7,44% |
| NVIDIA Corp. | 6,96% |
| SK hynix, Inc. | 6,07% |
| Micron Technology | 5,37% |
| Lam Research | 4,28% |
| Intel Corp. | 3,99% |
| Applied Materials, Inc. | 3,98% |
Sektoren
| Technologie | 94,18% |
| Sonstige | 5,82% |
Stand: 31.10.2025
ETF-Sparplan-Angebote
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| Broker | Testurteil | Gebühr pro Sparrate | Depotgebühr | |
|---|---|---|---|---|
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So haben wir die Angebote getestet
Quelle: justETF Research; Stand: 12/2025; *Affiliate Link
— Sortierung der Angebote nach folgender Reihenfolge: 1. Testurteil 2. Gebühr pro Sparrate 3. Anzahl ETF-Sparpläne.
— Für die aufgeführten Inhalte kann keine Gewährleistung auf Vollständigkeit und Richtigkeit übernommen werden. Entscheidend sind die Angaben der Online Broker. Gebühren zzgl. marktüblicher Spreads, Zuwendungen und Produktkosten.
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Rendite
Renditen im Überblick
| Lfd. Jahr | +38,00% |
| 1 Monat | +5,68% |
| 3 Monate | +16,82% |
| 6 Monate | +34,24% |
| 1 Jahr | +46,18% |
| 3 Jahre | +177,36% |
| 5 Jahre | - |
| Seit Auflage (MAX) | +119,84% |
| 2024 | +24,69% |
| 2023 | +62,78% |
| 2022 | - |
| 2021 | - |
Monatsrenditen in einer Heatmap
Risiko
Risikokennzahlen in diesem Abschnitt:
- Volatilität, gemessen für einen Zeitraum von 1, 3 und 5 Jahren. Die annualisierte Volatilität spiegelt das Ausmaß der Kursschwankungen im Zeitraum eines Jahres wider. Je höher die Volatilität, desto stärker hat sich der Kurs des Wertpapiers (der Aktie, des ETF, usw.) in der Vergangenheit verändert. Wertpapiere mit höherer Volatilität gelten im Allgemeinen als risikoreicher. Wir berechnen die Volatilität auf Basis der Daten der letzten 1, 3 und 5 Jahre, damit du sehen kannst, ob die Kursschwankungen im Laufe der Zeit stärker oder schwächer wurden. Weitere Informationen findest du in unserem Artikel: Volatilität als Risikomaß.
- Rendite pro Risiko für Zeiträume von 1, 3 und 5 Jahren. Diese Kennzahl ist definiert als die annualisierte (d. h. auf einen Einjahreszeitraum umgerechnete) historische Rendite geteilt durch die historische annualisierte Volatilität. Rendite pro Risiko setzt die historische Rendite eines Wertpapiers ins Verhältnis zu seinem historischen Risiko und gibt dir einen Hinweis auf das Ausmaß der Kursschwankungen, die man in Kauf nehmen musste, um von der Rendite des Wertpapiers zu profitieren. Wir berechnen diese Kennzahl für Zeiträume von 1, 3 und 5 Jahren, um die Entwicklung im Laufe der Zeit darzustellen.
- Maximaler Drawdown für verschiedene Zeiträume. Der Maximum Drawdown gibt den größtmöglichen Verlust an, den du während des jeweiligen Zeitraums hättest erleiden können, wenn du das Wertpapier zu den ungünstigsten Preisen gekauft und anschließend verkauft hättest. Beispiel: Angenommen, die Abfolge der täglichen Wertpapierpreise war: 10€, 5€, 12€, 20€. In diesem Fall hättest du den größtmöglichen Verlust erlitten, wenn du das Wertpapier für 10€ gekauft und anschließend für 5€ verkauft hättest. Daher wäre in diesem Fall der Maximum Drawdown (5€ - 10€)/10€ = -50%.
Risiko im Überblick
| Volatilität 1 Jahr | 32,99% |
| Volatilität 3 Jahre | 28,08% |
| Volatilität 5 Jahre | - |
| Rendite zu Risiko 1 Jahr | 1,40 |
| Rendite zu Risiko 3 Jahre | 1,44 |
| Rendite zu Risiko 5 Jahre | - |
| Maximum Drawdown 1 Jahr | -34,04% |
| Maximum Drawdown 3 Jahre | -37,74% |
| Maximum Drawdown 5 Jahre | - |
| Maximum Drawdown seit Auflage | -37,74% |
Rollierende 1 Jahres-Volatilität
Börse
Börsennotierungen
| Börsennotierung | Handelswährung | Ticker | Bloomberg / iNAV Bloomberg Code | Reuters RIC / iNAV Reuters | Market Maker |
|---|---|---|---|---|---|
| Borsa Italiana | EUR | HNSC | - - | - - | - |
| gettex | EUR | HNSC | - - | - - | - |
| London Stock Exchange | USD | HNSC | |||
| London Stock Exchange | GBP | HNSS |
Weitere Informationen
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| Fondsname | Fondsgröße in Mio. € (AuM) | TER p.a. | Ausschüttung | Replikation |
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| iShares MSCI Global Semiconductors UCITS ETF USD (Acc) | 1.356 | 0,35% p.a. | Thesaurierend | Vollständig |
| Amundi MSCI Semiconductors UCITS ETF Dist | 64 | 0,35% p.a. | Ausschüttend | Vollständig |
| First Trust Bloomberg Global Semiconductor Supply Chain UCITS ETF Class A Accumulation | 11 | 0,60% p.a. | Thesaurierend | Vollständig |
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Häufig gestellte Fragen
Wie lautet die WKN des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF hat die WKN A3C98L.
Wie lautet die ISIN des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF hat die ISIN IE000YDZG487.
Wieviel kostet der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Die Gesamtkostenquote (TER) des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF beträgt 0,35% p.a.. Diese Kosten werden fortlaufend anteilig aus dem Fondsvermögen entnommen und sind bereits in der Wertentwicklung des ETF berücksichtigt. Die TER muss dementsprechend nicht gesondert bezahlt werden. In unserem Artikel erfährst du mehr über die Kosten von ETFs.
Werden beim HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF Dividenden ausgeschüttet?
Der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF ist ein thesaurierender ETF. Das bedeutet, anfallende Dividendenzahlungen werden nicht ausgeschüttet sondern in den ETF reinvestiert, wodurch sich der Anteilspreis des ETF erhöht.
Welche Fondsgröße hat der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF?
Die Fondsgröße des HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF beträgt 66m Euro. In unserem Artikel erfährst du mehr darüber, was es beim Fondsvolumen eines ETF zu beachten gibt.
— Die verwendeten Daten werden bereitgestellt von Trackinsight, etfinfo, Xignite Inc., gettex, FactSet und justETF GmbH. Kurse sind entweder Realtime- (gettex) oder 15 Minuten zeitverzögerte Börsennotierungen oder NAVs (täglich vom Fondsanbieter veröffentlicht). Die Wertentwicklungsangaben für ETFs beinhalten standardmäßig Ausschüttungen (falls vorhanden). Es wird keine Gewähr für die Vollständigkeit, Genauigkeit und Richtigkeit der dargestellten Informationen übernommen.