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Index | Nasdaq Global Semiconductor |
Anlageschwerpunkt | Aktien, Welt, Technologie |
Fondsgröße | EUR 104 Mio. |
Gesamtkostenquote (TER) | 0,35% p.a. |
Replikationsmethode | Physisch (Vollständige Replikation) |
Rechtliche Struktur | ETF |
Strategie-Risiko | Long-only |
Nachhaltigkeit | Nein |
Fondswährung | USD |
Währungsrisiko | Währung nicht gesichert |
Volatilität 1 Jahr (in EUR) | 32,01% |
Auflagedatum/ Handelsbeginn | 25. Jänner 2022 |
Ausschüttung | Thesaurierend |
Ausschüttungsintervall | - |
Fondsdomizil | Irland |
Anbieter | HSBC ETF |
Fondsstruktur | Company With Variable Capital (SICAV) |
UCITS-konform | Ja |
Administrator | HSBC Securities Services (Ireland) DAC |
Investment Advisor | HSBC Global Asset Management (UK) Limited |
Depotbank | HSBC Continental Europe |
Wirtschaftsprüfer | KPMG |
Geschäftsjahresende | 30. Dezember |
Schweizer Repräsentant | HSBC Global Asset Management (Switzerland) AG |
Schweizer Zahlstelle | HSBC Private Bank (Suisse) SA |
Deutschland | Nicht bekannt |
Schweiz | Kein ESTV Reporting |
Österreich | Nicht-Meldefonds |
Großbritannien | UK Reporting |
Indextyp | - |
Swap Counterparty | - |
Collateral Manager | |
Wertpapierleihe | Nein |
Wertpapierleihe Counterparty |
In diesem Abschnitt erhältst du Informationen über andere ETFs mit einem ähnlichen Anlageschwerpunkt wie der HSBC Nasdaq Global Semiconductor UCITS ETF.
Broadcom Inc. | 11,25% |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | 8,41% |
ASML Holding NV | 7,95% |
NVIDIA Corp. | 7,64% |
AMD | 5,96% |
QUALCOMM, Inc. | 3,81% |
Texas Instruments | 3,67% |
Applied Materials, Inc. | 3,66% |
Analog Devices | 3,45% |
Marvell Technology | 3,13% |
Technologie | 96,28% |
Sonstige | 3,72% |
Broker | Testurteil | Gebühr pro Sparrate | Depotgebühr | |
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Lfd. Jahr | +4,69% |
1 Monat | -2,79% |
3 Monate | +9,52% |
6 Monate | +5,35% |
1 Jahr | +14,99% |
3 Jahre | +64,40% |
5 Jahre | - |
Seit Auflage (MAX) | +66,78% |
2024 | +24,69% |
2023 | +62,78% |
2022 | - |
2021 | - |
Volatilität 1 Jahr | 32,01% |
Volatilität 3 Jahre | 29,23% |
Volatilität 5 Jahre | - |
Rendite zu Risiko 1 Jahr | 0,47 |
Rendite zu Risiko 3 Jahre | 0,62 |
Rendite zu Risiko 5 Jahre | - |
Maximum Drawdown 1 Jahr | -25,66% |
Maximum Drawdown 3 Jahre | -32,01% |
Maximum Drawdown 5 Jahre | - |
Maximum Drawdown seit Auflage | -32,01% |
Börsennotierung | Handelswährung | Ticker | Bloomberg / iNAV Bloomberg Code | Reuters RIC / iNAV Reuters | Market Maker |
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gettex | EUR | HNSC | - - | - - | - |
Borsa Italiana | EUR | HNSC | - - | - - | - |
London Stock Exchange | GBP | HNSS | |||
London Stock Exchange | USD | HNSC |
Fondsname | Fondsgröße in Mio. € (AuM) | TER p.a. | Ausschüttung | Replikation |
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VanEck Semiconductor UCITS ETF | 2.418 | 0,35% p.a. | Thesaurierend | Vollständig |
iShares MSCI Global Semiconductors UCITS ETF USD (Acc) | 1.115 | 0,35% p.a. | Thesaurierend | Vollständig |
Amundi MSCI Semiconductors ESG Screened UCITS ETF Dist | 53 | 0,35% p.a. | Ausschüttend | Vollständig |